硅(gui)-藍(lan)晶(jing)(jing)石(shi)由(you)單晶(jing)(jing)體(ti)耐壓(ya)(ya)體(ti)原(yuan)素(su)主(zhu)成，沒有(you)引起滯后(hou)效應(ying)、疲乏和脆性(xing)(xing)斷裂(lie)干涉現象；藍(lan)晶(jing)(jing)石(shi)體(ti)現了相對好的(de)彈(dan)力(li)(li)和耐壓(ya)(ya)基(ji)本特(te)征（1000℃以里），對高溫(wen)(wen)高壓(ya)(ya)改變(bian)(bian)不(bu)刺激(ji)(ji)性(xing)(xing)，或(huo)許(xu)在(zai)高溫(wen)(wen)高壓(ya)(ya)要求下，也體(ti)現了不(bu)錯的(de)業務基(ji)本特(te)征；藍(lan)晶(jing)(jing)石(shi)的(de)抗(kang)影響(xiang)基(ji)本特(te)征較強；與此同時(shi)，硅(gui)-藍(lan)晶(jing)(jing)石(shi)半導體(ti)器(qi)件(jian)(jian)刺激(ji)(ji)性(xing)(xing)元器(qi)件(jian)(jian)，無p-n漂移，以至于，可利(li)用于幾種繁(fan)復自然環境(jing)領域。傳(chuan)紅外感應(ying)器(qi)器(qi)由(you)雙膜片(pian)(pian)具有(you)：鈦(tai)鎳鋼測(ce)試(shi)膜片(pian)(pian)和鈦(tai)鎳鋼考慮入(ru)膜片(pian)(pian)。數碼打印有(you)異質(zhi)概念性(xing)(xing)應(ying)對脆弱(ruo)電(dian)橋三極管(guan)的(de)藍(lan)晶(jing)(jing)石(shi)膜片(pian)(pian)，被(bei)熔焊在(zai)鈦(tai)鎳鋼測(ce)試(shi)膜片(pian)(pian)上。被(bei)測(ce)心(xin)理(li)阻(zu)力(li)(li)運輸(shu)到(dao)考慮入(ru)膜片(pian)(pian)上。在(zai)心(xin)理(li)阻(zu)力(li)(li)的(de)效應(ying)下，鈦(tai)鎳鋼考慮入(ru)膜片(pian)(pian)引起塑性(xing)(xing)變(bian)(bian)形(xing)，該塑性(xing)(xing)變(bian)(bian)形(xing)被(bei)硅(gui)-藍(lan)晶(jing)(jing)石(shi)刺激(ji)(ji)性(xing)(xing)元器(qi)件(jian)(jian)探(tan)知后(hou)，其電(dian)橋模擬輸(shu)出的(de)會引起改變(bian)(bian)，改變(bian)(bian)的(de)比(bi)率與被(bei)測(ce)心(xin)理(li)阻(zu)力(li)(li)正比(bi)。電(dian)橋三極管(guan)將電(dian)橋的(de)比(bi)例失(shi)調表現，轉換成為電(dian)流電(dian)壓(ya)(ya)表現模擬輸(shu)出的(de)。